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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysTSM3911DCX6 RFG
TSM3911DCX6 RFG Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM3911DCX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM3911DCX6 RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM3911DCX6 RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
TSM3911D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 46180

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Anzahl

Spezifikation

TSM3911DCX6 RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3911DCX6 RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3911DCX6 RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Leistung - max 1.15W  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 882.51pF @ 6V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta)  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer TSM3911  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 RFG.

Produkteigenschaften TSM3911DCX6 RFG TSM3911DCX6 TSM4392CS RL TSM3N80CH
Artikelnummer TSM3911DCX6 RFG TSM3911DCX6 TSM4392CS RL TSM3N80CH
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation VBSEMI Taiwan Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta) 2.2A (Ta) - -
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 0.95V @ 250µA - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 882.51pF @ 6V 882.51pF @ 6V - -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 SOT-26 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V 15.23nC @ 4.5V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V 140mOhm @ 2.2A, 4.5V - -
Grundproduktnummer TSM3911 TSM3911 - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Leistung - max 1.15W 1.15W (Ta) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 - -
Serie - - - -
FET-Merkmal - Standard - -

TSM3911DCX6 RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM3911DCX6 RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM3911DCX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM3911D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-TSM3911DCX6 RFG

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